1064nm APD-moduler

Modell: GD6212Y/ GD6213Y/ GD6219Y

Kort beskrivelse:

Det er en forbedret Si-skredfotodiodemodul med forforsterkningskrets som gjør at svakt strømsignal kan forsterkes og konverteres til spenningssignal for å oppnå konverteringsprosessen til foton-fotoelektrisk signalforsterkning.

få tilbud nedlasting

Teknisk parameter

Produktetiketter

Egenskaper

Forside belyst flat chip
Høyhastighets respons
Høy APD-gevinst

applikasjoner

Laseravstand
Laserkommunikasjon
Laser advarsel

Fotoelektrisk parameter（@Ta=22±3℃）

Varenummer	Pakkekategori	Diameter på lysfølsom overflate (mm)	Spektralt responsområde (nm)	Spenningsammenbrudd (V)	Responsivitet M=100 λ=1064nm (kV/W)	Stigningstid （ns）	Båndbredde (MHz)	Temperaturkoeffisient Ta=-40℃～85℃ （V/℃）	Støyekvivalent effekt (pW/√Hz)	Konsentrisitet (μm)	Erstattet type i andre land
GD6212Y	TIL-8	0,8	40–1100	350–500	150	8.8	40	2.2	0,15	≤50	C30950
GD6213Y		0,8			200	2	175	2.2	0,15		C30659-1060-R8BH
GD6219Y		3			280	7	50	2.4	0,27		C30659-1060-3A