800nm APD
Egenskaper
- Forside belyst flat chip
- Høyhastighets respons
- Høy APD-gevinst
- Lav koblingskapasitans
- Lav lyd
applikasjoner
- Laseravstand
- Laser radar
- Laser advarsel
Fotoelektrisk parameter(@Ta=22±3℃）
| Varenummer | Pakkekategori | Diameter på lysfølsom overflate (mm) | Spektralt responsområde (nm) |
Toppresponsbølgelengde | Responsivitet λ=800nm φe=1μW M=100 (A/W) | Responstid λ=800nm RL=50Ω （ns） | Mørk strøm M=100 (nA) | Temperaturkoeffisient Ta=-40℃～85℃ （V/℃）
| Total kapasitans M=100 f=1MHz (pF)
| Spenningsammenbrudd IR=10μA (V) | ||
| Typ. | Maks. | Min | Maks | |||||||||
| GD5210Y-1-2-TO46 | TIL-46 | 0,23 |
400–1100
|
800 |
55
|
0,3 | 0,05 | 0,2 | 0,5 | 1.5 | 80 | 160 |
| GD5210Y-1-5-TO46 | TIL-46 | 0,50 | 0,10 | 0,4 | 3.0 | |||||||
| GD5210Y-1-2-LCC3 | LCC3 | 0,23 | 0,05 | 0,2 | 1.5 | |||||||
| GD5210Y-1-5-LCC3 | LCC3 | 0,50 | 0,10 | 0,4 | 3.0 | |||||||
