800nmAPD enkeltrørsserie

Modell: GD5210Y-1-2-T046 / GD5210Y-1-5-T046 / GD5210Y-1-2-LCC3 / GD5210Y-1-5 -LCC3

Enheten er en silisiumskredfotodiode, den spektrale responsen varierer fra synlig lys til nær-infrarødt, og toppresponsbølgelengden er 800nm.

få tilbud nedlasting

Teknisk parameter

Fotoelektriske egenskaper (＠Ta＝22±3℃)
Modell		GD5210Y-1-2-T046	GD5210Y-1-5-T046	GD5210Y-1-2-LCC3	GD5210Y-1-5 -LCC3
Pakkeskjema		TIL-46	TIL-46	LCC3	LCC3
Lysfølsom overflatediameter (mm)		0,23	0,50	0,23	0,50
Spektralt responsområde (nm)		400~1100	400~1100	400~1100	400~1100
Toppresponsbølgelengde (nm)		800	800	800	800
λ=800nm Φ=1μW M=100(A/W)		55	55	55	55
Mørk strøm	Typisk	0,05	0,10	0,05	0,10
M=100(nA)	Maksimum	0,2	0,4	0,2	0,4
Responstid λ=800nm R1=50Ω(ns)		0,3	0,3	0,3	0,3
Arbeidsspenningstemperaturkoeffisient T=-40℃~85℃(V/℃)		0,5	0,5	0,5	0,5
Total kapasitans M=100 f=1MHz(pF)		1.5	3.0	1.5	3.0
Nedbrytingsspenning IR=10μA(V)	Minimum	80	80	80	80
Nedbrytingsspenning IR=10μA(V)	Maksimum	160	160	160	160

Tidligere: 355nm APD enkeltrørsserie

Neste: 905nmAPD enkeltrørsserie

Front Plane Chip Struktur

Høyhastighetsrespons

Høy gevinst

Lav koblingskapasitans

Lav lyd

Laseravstand

Lidar

Laser advarsel