905nmAPD enkeltrørsserie

Modell: GD5210Y-2-2-T046 / GD5210Y-2-5-T046 / GD5210Y-2-8-T046 / GD5210Y-2-2-LCC3 / GD5210Y-2-5-LCC3 / GD5210Y-2-2-P GD5210Y-2-5-P

Enheten er en silisiumskredfotodiode, den spektrale responsen varierer fra synlig lys til nær-infrarødt, og toppresponsbølgelengden er 905nm.

få tilbud nedlasting

Teknisk parameter

Fotoelektriske egenskaper (＠Ta＝22±3℃)
Modell		GD5210Y-2-2-T046	GD5210Y-2-5-T046	GD5210Y-2-8-T046	GD5210Y-2-2-LCC3	GD5210Y-2-5-LCC3	GD5210Y-2-2-P	GD5210Y-2-5-P	Array
Pakkeskjema		TIL-46	TIL-46	TIL-46	LCC3	LCC3	plastemballasje	plastemballasje	PCB
Lysfølsom overflatediameter (mm)		0,23	0,50	0,80	0,23	0,50	0,23	0,50	tilpasset
Spektralt responsområde (nm)		400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100
Toppresponsbølgelengde (nm)		905	905	905	905	905	905	905	905
Respons λ=905nm Φ=1μW M=100 (A/W)		55	55	55	55	55	55	55	55
Mørkestrøm M=100(nA)	Typisk	0,2	0,4	0,8	0,2	0,4	0,2	0,4	I henhold til lysfølsomhet
Mørkestrøm M=100(nA)	Maksimum	1.0	1.0	2.0	1.0	1.0	1.0	1.0	En side
Responstid λ=905nm R1=50Ω(ns)		0,6	0,6	0,6	0,6	0,6	0,6	0,6	I henhold til lysfølsom overflate
Arbeidsspenningstemperaturkoeffisient T=-40℃~85℃(V/℃)		0,9	0,9	0,9	0,9	0,9	0,9	0,9	0,9
Total kapasitans M=100 f=1MHz(pF)		1.0	1.2	2.0	1.0	1.2	1.0	1.2	I henhold til lysfølsom overflate
spenningsammenbrudd IR=10μA(V)	Minimum	130	130	130	130	130	130	130	160
spenningsammenbrudd IR=10μA(V)	Maksimum	220	220	220	220	220	220	220	200

Tidligere: 800nmAPD enkeltrørsserie

Neste: 1064nmAPD enkeltrørsserie

Front Plane Chip Struktur

Høyhastighetsrespons

Høy gevinst

Lav koblingskapasitans

Lav lyd

Matrisestørrelse og lysfølsom overflate kan tilpasses

Laseravstand

Lidar

Laser advarsel