dfbf

900nm Si PIN-fotodiode

900nm Si PIN-fotodiode

Modell: GT101Ф0.2/ GT101Ф0.5/ GT101Ф1/ GT101Ф2/ GT101Ф4/ GD3251Y/ GT101Ф8/ GD3252Y

Kort beskrivelse:

Det er Si PIN-fotodiode som opererer under revers bias og gir høy følsomhet fra UV til NIR.Toppresponsbølgelengden er 930nm.


  • f614effe
  • 6dac49b1
  • 46bbb79b
  • 374a78c3

Teknisk parameter

Produktetiketter

Egenskaper

  • Belyst struktur foran
  • Lav mørk strøm
  • Høy respons
  • Høy pålitelighet

applikasjoner

  • Optisk fiberkommunikasjon, sensing og rekkevidde
  • Optisk deteksjon fra UV til NIR
  • Rask optisk pulsdeteksjon
  • Kontrollsystemer for industri

Fotoelektrisk parameter(@Ta=25℃)

Varenummer

Pakkekategori

Diameter på lysfølsom overflate (mm)

Spektralt responsområde

(nm)

 

 

Toppresponsbølgelengde

(nm)

Responsivitet (A/W)

λ=900nm

 

Stigningstid

λ=900nm

VR=15V

RL=50Ω(ns)

Mørk strøm

VR=15V

(nA)

Krysset kapasitans VR=15V

f=1MHz

(pF)

Spenningsammenbrudd

(V)

 

GT101Ф0.2

Koaksial type II, 5501, TO-46,

Plugg type

Ф0,2

 

 

4–1100

 

 

930

 

 

0,63

4

0,1

0,8

>200

GT101Ф0.5

Ф0,5

5

0,1

1.2

GT101Ф1

Ф1,0

5

0,1

2.0

GT101Ф2

TIL-5

Ф2,0

7

0,5

6.0

GT101Ф4

T0-8

Ф4,0

10

1.0

20.0

GD3251Y

TIL-8

Ф6,0

20

10

30

GT101Ф8

T0-8

Ф8,0

20

3.0

70,0

GD3252Y

T0-8

5,8×5,8

25

10

35


 


  • Tidligere:
  • Neste: