PRODUCTS Factory, Leverandører - Kina PRODUCTS Produsenter

InGaAs APD-moduler

Det er indium-gallium-arsenid-skredfotodiodemodul med forforsterkningskrets som gjør at svakt strømsignal kan forsterkes og konverteres til spenningssignal for å oppnå konverteringsprosessen til foton-fotoelektrisk signalforsterkning.

FORESPØRSEL detalj
Fire-kvadrant APD

Den består av fire samme enheter av Si-skredfotodiode som gir høy følsomhet fra UV til NIR.Toppresponsbølgelengden er 980nm.Responsivitet: 40 A/W ved 1064 nm.

FORESPØRSEL detalj
Fire-kvadrant APD-moduler

Den består av fire samme enheter av Si-skredfotodiode med forforsterkningskrets som gjør at svakt strømsignal kan forsterkes og konverteres til spenningssignal for å oppnå konverteringsprosessen til foton-fotoelektrisk signalforsterkning.

FORESPØRSEL detalj
850nm Si PIN-moduler

Det er 850nm Si PIN-fotodiodemodul med forforsterkningskrets som gjør det mulig å forsterke et svakt strømsignal og konvertere til spenningssignal for å oppnå konverteringsprosessen til foton-fotoelektrisk signalforsterkning.

FORESPØRSEL detalj
900nm Si PIN-fotodiode

Det er Si PIN-fotodiode som opererer under revers bias og gir høy følsomhet fra UV til NIR.Toppresponsbølgelengden er 930nm.

FORESPØRSEL detalj
1064nm Si PIN-fotodiode

Det er Si PIN-fotodiode som opererer under revers bias og gir høy følsomhet fra UV til NIR.Toppresponsbølgelengden er 980nm.Responsivitet: 0,3A/W ved 1064 nm.

FORESPØRSEL detalj
Fiber Si PIN-moduler

Optisk signal konverteres til strømsignal ved å legge inn optisk fiber.Si PIN-modulen er med forforsterkningskrets som gjør at svakstrømsignalet kan forsterkes og konverteres til spenningssignal for å oppnå konverteringsprosessen til foton-fotoelektrisk signalforsterkning.

FORESPØRSEL detalj
Fire-kvadrant Si PIN

Den består av fire samme enheter av Si PIN-fotodiode som opererer i revers og gir høy følsomhet fra UV til NIR.Toppresponsbølgelengden er 980nm.Responsivitet: 0,5 A/W ved 1064 nm.

FORESPØRSEL detalj
Fire-kvadrant Si PIN-moduler

Den består av enkelt- eller doblet fire samme enheter av Si PIN-fotodiode med forforsterkningskrets som gjør at svakt strømsignal kan forsterkes og konverteres til spenningssignal for å oppnå konverteringsprosessen til foton-fotoelektrisk signalforsterkning.

FORESPØRSEL detalj
UV forbedret Si PIN

Det er Si PIN-fotodiode med forbedret UV, som opererer i revers og gir høy følsomhet fra UV til NIR.Toppresponsbølgelengden er 800nm.Responsivitet: 0,15 A/W ved 340 nm.

FORESPØRSEL detalj
1064nm YAG Laser -15mJ-5

Det er en passivt Q-svitsjet Nd: YAG-laser med 1064nm bølgelengde, ≥15mJ toppeffekt, 1~5hz (justerbar) pulsrepetisjonshastighet og ≤8mrad divergensvinkel.I tillegg er det en liten og lett laser og i stand til å oppnå høy energiutgang som kan være en ideell lyskilde med rekkevidde for noen scenarier som har stive krav til volum og vekt, slik som individuell kamp og UAV gjelder i noen scenarier.

FORESPØRSEL detalj
1064nm YAG Laser-15mJ-20

Det er en passivt Q-svitsjet Nd：YAG-laser med 1064nm bølgelengde, ≥15mJ toppeffekt og ≤8mrad divergensvinkel.I tillegg er det en liten og lett laser som kan være ideell lyskilde for langdistanse med høy frekvens (20Hz).

FORESPØRSEL detalj